厦大物理宽禁带半导体研究团队在半导体自旋电子学领域取得重要进展
近日,厦大物理宽禁带半导体研究团队在半导体自旋电子学领域取得重要进展。通过优化自旋隧穿结构,首次在大气稳定的二维半导体中实现室温自旋注入,补足了二维材料在自旋电子器件中的应用短板。研究成果发表于Advanced Materials。自旋电子学通过引入自旋自由度,为后摩尔时代电子器件的发展提供了一条有潜力的途径。对于自旋半导体器件,高效的自旋注入、输运及检测至关重要的。二维层状材料得益于低界面缺陷、晶格失配耐受性强、...
2025-06-30