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骆军委研究员作“后摩尔时代半导体前沿物理”学术讲座
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主讲人 研究方向

2021年5月28日下午,应厦门大学物理学系邀请中国科学院半导体研究所骆军委研究员在厦大海韵园校区物理楼552报告厅做了题为“后摩尔时代半导体前沿物理”的学术报告。报告主持人为物理科学与技术学院副院长陈理想教授。

骆军委研究员做报告

硅基光电子集成芯片和硅量子计算是后摩尔时代的两个主要技术路线。骆军委研究员在报告中介绍了实现硅基发光和硅基量子计算关键瓶颈,为延续摩尔定律提供的新方法和新思路。包括发展了半导体直接带隙和间接带隙形成机制的统一理论,解决了硅形成间接带隙不发光的困惑,理论上证明了广泛研究的硅量子点无法实现高效发光,排除了硅量子点硅基发光方案,并提出掺杂应变锗直接带隙发光的硅基发光新方案,为解决硅基发光世界难题奠定了理论基础。对于硅基量子计算,Rashba自旋轨道耦合是实现自旋全电操控的基本物理效应,我们发现硅一维量子线和二维量子阱的空穴存在新型线性Rashba效应,推翻了公认的三次方Rashba效应,对锗空穴量子比特实现快速逻辑运算提供了理论支持;设计出能谷劈裂超过7 meV的硅锗超晶格结构,为解决硅量子比特材料能谷劈裂关键瓶颈提供了理论支撑。

报告结束后,现场师生就硅基发光实现的理论和实验困难进行了交流讨论。

师生提问

讲座现场

骆军委研究员简介:中国科学院半导体研究所研究员,半导体超晶格国家重点实验室副主任,2014年入选国家高层次人才青年项目,2019年获得国家杰出青年基金资助。2007年至2014年在美国可再生能源国家实验室先后任职博士后、Scientist和Senior Scientist,2014年全职回国工作,受聘于中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。长期从事半导体物理与器件物理研究,聚焦在半导体关键核心技术的源头和底层进行理论创新,目的是通过解决硅基发光世界难题和硅量子比特关键瓶颈,为后摩尔时代发展硅光电子集成和硅量子计算提供新方法和新思路。已发表论文80余篇,包括以第一或通讯作者发表Nature Physics 1篇、Nature Nanotechnology 1篇、Nature Communications 1篇和PRL 6篇等,在APS、ACS、E-MRS、ICSNN、JSAP-MRS等重要国际会议作邀请报告或担任分会主席。