时 间 :2019年6月5日(周三)上午
9:00
地 点:物理楼552
主 讲 人: 王涛 教授
研究方向 :氮化物半导体研究
王涛,英国谢菲尔德大学教授,谢菲尔德大学氮化物半导体材料和器件中心主任, 谢菲尔德大学宽禁带半导体光电器件联合研究中心主任。“国家海外杰出青年基金获得者”,2005年英国“EPSRC Advanced Research Fellowship”,2018年度“中科院海外评审专家”。美国、英国等国家一流大学终身教授评选委员会评审专家,国际一流大学电子电气工程系全球遴选系主任评审推荐专家。约450篇论文发表在包括《自然》子刊在内的国际期刊和国际会议、5篇著作章节、20项英国、美国、日本、欧洲专利。
摘要:III-nitride semiconductors and devices have been developed for more than two decades, leading to major achievement which we have seen today. However, there are also a number of key issues and challenges. I will provide my personal view on the future tend of III-nitride optoelectronics development.