2019年6月5日下午， 英国谢菲尔德大学王涛教授应邀来我系参观访问，并做了题为“Future III-nitride Photonics & Electronics: Semi-/non- polar GaN?”的学术报告， 黄凯教授担任主持人，物理科学与技术学院相关师生参加了此次报告会。

王涛老师是英国谢菲尔德大学教授 ，谢菲尔德大学氮化物半导体材料和器件中心主任, 谢菲尔德大学宽禁带半导体光电器件联合研究中心主任。1997年10月博士毕业于德国维尔兹堡大学物理和天文系, 1997年11月起在日本德岛大学电子与电气工程系开始氮化物半导体研究，2000年7月起任日本氮化物半导体株式会社董事,负责技术研发，2002年8月加入英国谢菲尔德大学电气与电子工程系。2006年“国家海外杰出青年基金获得者”，2005年英国“EPSRC Advanced Research Fellowship”(英国版国家杰出青年科学基金获得者)，2018年度“中科院海外评审专家”。美国、英国等国家一流大学终身教授评选委员会评审专家，国际一流大学电子电气工程系全球遴选系主任评审推荐专家。长期担任欧盟、英国、德国、加拿大、以色列、波兰、香港等国家和地区基金和重大专项评审专家。第16届照明科学和技术国际会议主席，中英氮化物半导体论坛发起者并担任第一届主席。英国氮化物半导体公司Seren Photonics Ltd联合创始人，该公司获2015年度“英国皇家学会新兴技术奖”。约450篇论文发表在包括《自然》子刊在内的国际期刊和国际会议、5篇著作章节、20项英国、美国、日本、欧洲专利。已培养17名博士后、已毕业16名博士和约70名硕士。

王教授在讲座里提到近年来，以碳化硅、碳化镓等宽禁带化合物为代表的半导体材料已引发全球瞩目，氮化镓和碳化硅禁带宽度Eg>2.2eV，具有禁带宽度大(高击穿电场)、电子漂移速度高、介电常数小、导热率高等特点，适用于制作抗电磁波冲击和高的抗辐射破坏能力、耐高温、高频、大功率和高密度集成的电子器件，其中碳化硅被认为是直至现在的适合高温工程(HTE)和高压器件应用的综合性能最好，商品化程度最高，最成熟的材料，不仅在国民经济中，尤其在军用抗电子干扰、大功率雷达和航空航天技术中有着越来越重要的应用。III族氮化物半导体和器件的发展已有二十多年的历史，也取得了令人瞩目的重大成就。然而，也存在一些关键问题和挑战。王涛教授还从自身的研究成果跟大家分享了从非极性和半极性氮化镓探索将来半导体光电器件的一些看法。

最后，与会师生积极地向王涛老师提出了自己在半导体光电器件方面的疑问，王老师对每个问题都进行了详细的解答。通过此次讲座，同学们对半导体光电器件有了更进一步的认识，对在该领域的研究进展和将来的应用有了深入的了解，并且对国际先进水平的研究成果产生了更浓厚的兴趣。