4月17日上午，由厦门大学、浙江大学、北京大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、宁波东方理工大学联合主办，厦门大学物理科学与技术学院、微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心、半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心、福建省半导体材料及应用重点实验室、厦门市未来显示技术研究院协办的“第三届全国半导体缺陷研讨会”在厦门盛大开幕。厦门大学党委书记、中国科学院院士张荣、中国科学院院士杨德仁、中国科学院院士江风益、厦门大学特聘教授康俊勇、北京大学博雅特聘教授沈波、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员徐科、宁波东方理工大学讲席教授魏苏淮等来自全国51家高校、科研院所及企业的110余位半导体缺陷领域的顶尖专家/学者出席会议。开幕式由会议执行主席康俊勇教授主持，阐述了半导体及其缺陷调控对当今信息社会发展的支撑作用和搭建高水平、深层次交流平台的重要性，并宣布大会开幕。

大会顾问委员会主席、中国科学院院士张荣代表主办方致欢迎辞。大会主席、中国科学院院士杨德仁在致辞中回顾了该系列研讨会的创办历程，并对本次会议的召开表示热烈祝贺。大会主席、中国科学院院士江风益在致辞中以当前热点的AR眼镜为例，指出缺陷研究在半导体研究中的独特意义。

本次研讨会共设置了46场专题学术报告，与会专家们就氮化镓、碳化硅、氧化镓等宽禁带及超宽禁带半导体中的位错、点缺陷、界面态等关键问题，分享了最新研究成果。报告既涉及从第一性原理计算、分子动力学模拟揭示缺陷起源与演化机制的基础前沿，也涵盖了利用原位观测、无损检测、原子分辨率显微技术进行精准表征的方法创新，同时还展示了通过工艺优化、界面工程、装备研发来实现缺陷抑制与功能化的产业应用探索。会议现场讨论热烈，思维碰撞频繁，充分展现了我国在该领域的活跃度与学术深度。

会议于4月18日圆满闭幕。闭幕式上，经组委会商议决定，第四届全国半导体缺陷研讨会将由北京大学和扬州大学联合承办。我们期待该系列会议持续发挥学术灯塔的作用，引领中国半导体缺陷研究不断走向深入，为实现高水平科技自立自强贡献坚实的学术力量。