时 间：2019年3月29日（周五）下午 15：00  

地 点：物理大楼552

主 讲 人：皮孝东 教授

研究方向：低维材料的电子输运性质与功能器件研究

皮孝东，浙江大学教授、博士生导师。国家自然科学基金委员会优秀青年基金获得者，美国物理联合会的学术期刊Applied Physics Letters的编辑顾问委员会成员和英国物理学会的学术期刊Nanotechnology的顾问委员会成员。主要从事硅基光电材料和器件的研究。在Physical Review Letters、Physical Review B、Applied Physics Letters、Advanced Materials、ACS Nano、Nano Energy和IEDM等学术期刊和会议上发表了80余篇论文。

摘要：基于成熟的硅基互补金属-氧化物-半导体（CMOS）工艺的微电子技术目前面临着摩尔定律即将失效的严峻挑战。以硅纳米晶体（其尺寸不大于10 nm时也可以叫硅量子点）为代表的纳米硅材料及其光电器件是硅基光电材料和器件研究中的一个重要方向。近年来我们在该方向开展了系统性的研究工作。首先实现了硅纳米晶体超级掺杂，创建了掺杂硅纳米晶体局域表面等离激元的理论模型，利用掺杂突破了硅纳米晶体的光吸收极限。进而创新性地设计了基于硅纳米晶体的耦合器件结构，发展了探测波长可至近/中红外的硅纳米晶体光电探测器。针对硅基光电集成在未来高性能神经拟态计算（类脑计算）中的应用，制备了基于硅纳米晶体的光电神经突触器件，把光电神经突触器件的光刺激的波长拓展至了近红外，实现了电刺激-光输出。