时 间：2019年6月5日（周三）上午

9：00

地 点：物理楼552

主 讲 人：王涛 教授

研究方向：氮化物半导体研究

王涛，英国谢菲尔德大学教授，谢菲尔德大学氮化物半导体材料和器件中心主任, 谢菲尔德大学宽禁带半导体光电器件联合研究中心主任。“国家海外杰出青年基金获得者”，2005年英国“EPSRC Advanced Research Fellowship”，2018年度“中科院海外评审专家”。美国、英国等国家一流大学终身教授评选委员会评审专家，国际一流大学电子电气工程系全球遴选系主任评审推荐专家。约450篇论文发表在包括《自然》子刊在内的国际期刊和国际会议、5篇著作章节、20项英国、美国、日本、欧洲专利。

摘要：III-nitride semiconductors and devices have been developed for more than two decades, leading to major achievement which we have seen today. However, there are also a number of key issues and challenges. I will provide my personal view on the future tend of III-nitride optoelectronics development.