【12月13日讲座】宽禁带与超宽禁带半导体电子材料与器件

时 间:1213(周五) 16:00


地 点: 物理楼552

主 讲 人:张进成 教授

单 位西安电子科技大学


张进成,西安电子科技大学科学研究院院长,微电子学院教授博导。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体电子材料与器件,发表SCI论文300余篇,出版专著3部,授权发明专利80余项,成果6次被Semiconductor Today专题报道。获国家技术发明二等奖2项(排名第一和第二),省部级科技一等奖4项及国家教学成果一等奖1项。曾入选国家杰出青年基金、国家万人计划领军人才、国防卓越青年基金等人才称号。

摘要得益于宽禁带宽度、高击穿场强、高热导率、高电子饱和速度等优势,氮化镓、氧化镓、金刚石、铝镓氮等宽禁带与超宽禁带半导体在高频率、高功率、高效率射频器件、电力电子器件方面拥有超10倍于第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓的性能指标,是新一代低能耗与高效率功率器件和射频器件的理想技术。不过,宽禁带与超宽禁带半导体在高质量材料制备、器件工艺以及器件结构等方面存在大量的技术挑战。作者20多年来始终致力于宽禁带和超宽禁带半导体电子材料与器件研究,相继开发了专用MOCVD设备、低缺陷生长方法、新型异质结构以及新型器件结构等,实现了国际领先水平的氮化镓微波功率器件,并在国家重大工程中成功应用。其次,近年来作者针对超宽禁带半导体研究取得了一系列突破性进展,包括氧化镓肖特基二极管国际最高击穿电压>3 kV与功率指数0.5 GW/cm2、铝镓氮栅注入晶体管>5 V的阈值电压并同时获得200 mA/mm的输出电流密度以及>2 kV的击穿电压、金刚石场效应晶体管在栅长为2 μm时仍然具有400 mA/mm高电流密度并能稳定工作在200 °C。