物理系吴建洋副教授关于二硫化钼反赝霍尔•佩奇效应的研究成果发表于《Nano Letters》

物理系吴建洋副教授关于二硫化钼反赝霍尔·佩奇效应的研究成果

发表于《Nano Letters

        2018年2月1日,Nano Letters提前在线刊登了厦门大学物理系微纳米力学研究小组的关于二硫化钼的微纳米力学的研究成果(Grain-Size-Controlled Mechanical Properties of Polycrystalline Monolayer MoS2)。

        二硫化钼具有非常独特的电学、磁学、光学和力学特性,近年来迅速成为材料科学和凝聚态物理领域最为活跃的研究前沿。二硫化钼在微电子器件,光电器件和生物医学领域具有重要的应用前景。然而,在现有技术条件下,制备出的大面积二硫化钼薄膜都不可避免的会含有空位缺陷和晶界。晶界和空位缺陷的存在可以改变二硫化钼的电学、磁学、光学特性。众知,二硫化钼的变形、应力分布及断裂强度等力学特性对基于二硫化钼的器件功能的实现会有重要影响。但由于对原子层厚纳米薄膜力学性能的力学性质测试仍存在着诸多困难和挑战,导致鲜有报道二硫化钼的力学特性实验测量。

        鉴于此,物理系吴建洋副教授、张志森助理教授,中国地质大学宁伏龙教授及挪威科技大学Zhiliang Zhang教授利用泰森多边形法构建多晶二硫化钼全原子模型,高温退火获得能量低的二硫化钼,发现晶界缺陷(5|7, 4|4, 4|6, 4|8 和6|8位错缺陷)与实验合成下的二硫化钼一致,然后采用大规模非平衡分子动力学技术实现对含缺陷的多晶二硫化钼的单和双周拉伸动态加载,获取宏观面内应力-应变响应曲线,发现了二硫化钼的反赝霍尔·佩奇效应。该研究成果丰富了以二硫化钼为代表的过渡族金属二硫化物低维材料的断裂力学行为,为这一类材料的实验微观结构力学设计及实际应用奠定基础。

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        该项研究得到了国家自然科学基金、厦门大学校长基金等项目的经费支持。

        论文链接网址为:https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.nanolett.7b05433