狄增峰研究员做客讲座"面向新一代微电子的高迁移率SOI基材料"

应厦门大学物理科学与技术学院李成教授的邀请,中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰研究员于2018112日来我系进行学术交流,并在物理大楼552会议室为广大师生做题为“ 面向新一代微电子的高迁移率SOI基材料”的学术报告。物理科学与技术学院相关的老师及博士生、研究生和本科生参加了此次报告。

狄增峰是中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员,中组部“万人计划”青年拔尖人才,科技部中青年科技创新领军人才。长期从事SOI材料、电子器件及相关技术应用和基础研究工作, 主要针对微电子技术器件特征尺寸缩小带来短沟道效应、迁移率退化的物理难题,开展高端SOI材料,包括全耗尽SOI材料、应变SOIsSOI)、绝缘体上锗(GeOI)和绝缘体上石墨烯(GrOI)应用基础研究工作。在诸多国际期刊发表SCI 学术论文百余篇,获得多项授权国际、国内发明专利。

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学术报告交流会上,狄老师首先向大家介绍了他作为课题负责人,与清华大学、北京大学、复旦大学、中科院微电子研究所等机构研究人员共同承担国家科技重大专项“22nm关键工艺技术先导研究与平台建设”,负责“新型混晶SOIGOI高迁移率器件工艺开发”课题研究工作,研究开发新一代高迁移率SOI材料的相关研究背景。开发出了具有自主知识产权的Sim-Split专利技术,并基于此专利技术成功研制出8英寸超薄SOI晶圆片(<20nm)。为研究所孵化的国内唯一SOI材料产业化基地-上海新傲科技有限公司参与国际竞争提供专利支撑;另外,改进传统锗浓缩技术,集成键合转移技术,研制成功低缺陷密度GOI材料(绝缘体上的锗),将缺陷密度降低两个数量级,使上海微系统与信息技术研究所成为国际上仅有两家供应8英寸GOI晶圆片的机构之一(另外一家英国IQE公司)。报告中狄老师介绍为应对短沟道效应物理问题,发展面向全耗尽SOI晶圆制造的Sim-split技术。同时也介绍了为应对迁移率退化物理问题,发展了多种高迁移率的SOI圆,包括应变SOIsSOI)、绝缘体上锗(GeOI)和绝缘体上石墨烯(GrOI)。

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报告之后大家就自己感兴趣的问题与狄增峰老师展开了热烈的交流与讨论。最后在到场老师和同学的热烈掌声中结束了本次报告。